磁控溅射靶材种类:金属溅射镀膜靶材,合金溅射镀膜靶材,陶瓷溅射镀膜靶材,硼化物陶瓷溅射靶材,碳化物陶瓷溅射靶材,氟化物陶瓷溅射靶材,氮化物陶瓷溅射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷溅射靶材,硅化物陶瓷溅射靶材,硫化物陶瓷溅射靶材,碲化物陶瓷溅射靶材,其他陶瓷靶材,掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化铟靶材(InP),铅靶材(PbAs),铟靶材(InAs)。瑞典人穆桑德尔(C.G.Mosander)自1826年先制得金属以来,现已能生产全部稀土金属,产品纯度达到99。
平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。4毫米/分),进行多次区熔,对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有明显效果,但对氧、氮、碳、氢无效。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材,利用L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。
金属靶材材质分为:
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
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