先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。
超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。
对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。
对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。
SLD的主要的应用:
OCT:
若选择窄带光作为 OCT 系统 的光源,由于相干长度较长,随着参考光与信号光 光程差的变化,系统得到的干涉条纹的对比度不 会产生明显变化,这就无法准确推断光程差的变 化量。相反,若选择宽带光作为 OCT 系统的光 源,由于相干长度较短,在相干长度内,随着参考 光与信号光光程差的变化,系统得到的干涉条纹 的对比度会产生较大的变化,而在相干长度之外 时,因为不会发生干涉而得不到干涉条纹。因此, 探测器能够灵敏地检测到光程差的变化 ,使 OCT 系统具有较高的定位精度。
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